【生年月日】
1954年12月18日
【出身地】
東京都
【肩書】
東北大学 電気通信研究所・教授等
【学歴】
学部…東京大学 工学部 電子工学科
大学院…東京大学大学院 工学系研究科（工学博士号取得）
【予想授賞理由】
希薄磁性半導体における強磁性の特性と制御に関する研究。
【受賞歴】
1998年 IBM 日本科学賞
2005年 日本学士院賞
2011年 トムソン・ロイター引用栄誉賞
2012年 応用物理学会業績賞（研究業績）
2012年 IEEE デービッド・サーノフ賞
等
【著書】
【主要業績】
- H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, and Y. Iye, "(Ga,Mn)As: A new diluted magnetic semiconductor based on GaAs," Appl. Phys. Lett., vol. 69, pp. 363, 1996.
- H. Ohno, "Making nonmagnetic semiconductors ferromagnetic," Science, vol. 281, pp. 951-956, 1998.
- Y. Ohno, D. K. Young, B. Beschoten, F. Matsukura, H. Ohno, and D. D. Awschalom, "Electrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure," Nature, vol. 402, pp. 790-792, 1999.
- T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, "Zener Model Description of Ferromagnetism in Zinc-Blende Magnetic Semiconductors," Science, vol. 287, pp. 1019-1022 , 2000.
- H. Ohno, D. Chiba, F. Matsukura, T. Omiya, E. Abe, T. Dietl, Y. Ohno, and K. Ohtani, "Electric-field control of ferromagnetism," Nature, vol. 408, pp. 944-946, 2000.
- M. Yamanouchi, D. Chiba, F. Matsukura, and H. Ohno, "Current-induced domain-wall switching in a ferromagnetic semiconductor structure," Nature, vol. 428, pp. 539 - 542, 1 April 2004.
- Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Takeyoshi Onuma, Makoto Ohtani, Takayuki Makino, Masatomo Sumiya, Keita Ohtani, Shigefusa F. Chichibu, Syunrou Fuke, Yusaburou Segawa, Hideo Ohno, Hideomi Koinuma, and Masashi Kawasaki, "Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light-emitting diode based on ZnO," Nature Materials, vol. 4, pp. 42-46, 2005.
- S. Ikeda, K. Miura, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. D. Gan, M. Endo, S. Kanai, J. Hayakawa, F. Matsukura, and H. Ohno, "A perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction," Nature Materials, vol. 9, pp. 721-724, August 2010.
- S. Kanai, M. Yamanouchi, S. Ikeda, Y. Nakatani, F. Matsukura, and H. Ohno, "Electric field-induced magnetization reversal in a perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction", Applied Physics Letters, vol. 101, pp. 122403 (1)-122403(3), September 2012.
【研究内容】
「半導体自体を磁石にする」アプローチと「磁石の素子と半導体の素子を組み合わせてつくる」アプローチの両方をやることになったのです。どちらも「半導体の世界と磁性体の世界に橋をかける」意味では同じです。
現在の半導体、特に半導体の集積回路では、情報記憶のためにエネルギーを使わざるを得ません。そこにもし磁石の記憶素子を使うことができれば、電源を全部オフにしても記憶が残るため、記憶を読んだり書き換えたりする時だけ電気を使い、後は放っておけば良いとなるわけです。すると、設計・製造法などが随分、省エネルギーになります。
我々の磁石の技術は、非常に高速にかつ何度でも書き換えることができます。さらに「覚えていなさい」という時は、電気を切っても情報を覚えてくれます。これを我々の専門用語では「不揮発」と言います。
つまり、電気を入れておかなければならない「揮発性のメモリ」ではなく、電気を切っても内容が書き込める「不揮発性のメモリ」として、高速かつ何度でも書き換えができる。そのようなメモリは今のところ、磁石のメモリしか無いのです。
【本人HP】
【その他】
【タグ】
最終更新：2013年11月23日 14:40
