電気工学大要第一 4学期-木4
【講義情報】
教員 ： 杉山先生
教室 ： 1106
教科書 ：
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【試験情報】
【過去問】
【シケプリ】
- 先生が解説してたのをまとめただけなので多分大丈夫だと思いますが、何かあれば下のコメントにでもご指摘をお願いします。m(_ _ )m
コメント
- 解説が丁寧でありがとうございます!! あと、③がよくわかりません。。。応化にアップされてる解答と違うんだけど、どっちが正しいのかな？ -- よこみぞ (2010-02-27 01:20:08)
- 結論から言うと、レポートの問題文のミスです。問題文中では「伝導体」とありますが、正しくは「価電子帯」で、これを元に考えると僕のアップした解答になるはずです。 -- おおかわら (2010-02-28 14:26:39)
- もう少し詳しく述べると以下のような感じ。この３番は、実際にMOSトランジスタで起こる「反転」‐つまりpnp型の中央のn型やnpn型の中央のp型に電位を印加し、それぞれp型、n型と同じ性質に一時的に変える（=型が揃い、電流が流れるようになる）こと‐を計算する問題です。この意図から考えても、問題文が間違いであることは確実。。。これのやり方は、問題文にかいてある「フェルミエネルギーが価電子帯の0.1eVだけ上」を出発点に、EcとEvを曲げ(真空準位も曲がるから値自体は変わらない)、基本的に接触点上のeVの差は変化しない（例外がEf）ことを用いて図を描く問題です。たぶん、問題文のミスに先生も気付いてるだろうから、応化のやつも化生のやつも正解として扱われるんじゃないかなー？
- あと補足です。真空準位が二酸化ケイ素上で変わらないのは、実際こいつの厚さがスゴく薄く、そこでの準位の変化が無視できるからだとか。３番よりさらに電位を印加すると、無視しないケースもあるようですが。また、答えのVgの大きさが0.92Vなのは、バンドギャップ1.12eVの上からo.1eVの所にあるEfを、下から0.1eVの所まで動かすということから、1.12-0.1-0.1という計算式で簡単に求めることもできるそうです。
