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全メーカーのマーキングコード Code table of all manufacturers.
各メーカー別クイックリンク
SELECT MAKER A-Z_Short name
Advanced Power Electronics Corp.
Analog Integrations Corporation_AIC
ALPHA&OMEGA
ANALOG DEVICES
ANPEC
ATMEL
AUK SEMICONDUCTOR
AVAGO
BOURNS Inc.
Burr-Brown_BB Acquisition by Texas Instruments
Calogic corporation
CEL OEM from NEC
Diodes
ELM TECHNOOGY
EM MICROELECTRONIC
SEIKO EPSON_EPSON or セイコーエプソン
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
FUJI ELECTRIC SEMICONDUCTORS 富士電機半導体
FUJITSU SEMICONDUCTOR 富士通
FREESCALE SEMICONDUCTOR
HITACHI 日立製作所
HOLTEK
IDC_Isahaya Electronics イサハヤ電子_IDC
Integrated Device Technology_IDT
Infineon Technologies
International Rectifier_IR
Jiang Chang Electronics Technology_JCST or JCET
KEC
KEXIN INDUSTRIAL
Linear Technology _LT
LESHAN RADIO COMPANY_LRC
Littelfuse_Littel
Maxim Integrated Products
Micro Commercial Components _MCC
Micrel Incorporated
Microchip Technology
Micron Technology_Micron
Mini Circuits_MINIC
Mitsubishi Electric_三菱電機
Mitsumi Electric_ミツミ電機
Monolithic Power System
National Semiconductor_NS
NEC ELECTRONICS Now RENESAS ELECTRONICS 日本電気
New Japan Radio Co Ltd. 新日本無線_NJRC
Nihon Inter 日本インター _NIEC
NIKO-SEM_NICOS
Nexperia NXP Semiconductors Philips semiconductor_NXP
ON SEMICONDUCTOR_ON
Power Analog Microelectronics Inc_PAM
Panasonic_パナソニック
PANJIT INTERNATIONAL INC.
PROMAX-JOHNTON
RENESAS ELECTRONICS ルネサス エレクトロニクス
RECTRON Semiconductor
RICOH_リコー
ROHM_ローム
SANKEN_サンケン電気
SANYO SEMICONDUCTOR Acquisition by ON SEMICONDUCTOR 三洋半導体
SECOS
SEMELAB
SEMITEC 旧 石塚電子
SEMTECH ELECTRONICS
SEIKO Instruments セイコーインスツル_SII
SHINDENGEN_新電元
Solid State Device_SSDI
ST MICROELECTRONICS_SGS THOMSON Microelectronics_ST
TAITRON COMPONENTS
Taiwan Semiconductor_TSC
TOKO_東光
TOREX SEMICONDUCTOR トレックスセミコンダクター
TOSHIBA SEMICONDUCTOR 東芝
TEXAS INSTRUMENTS_TI
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD_UTC
VISHAY
VMI_Voltage Multipliers Inc
Zetex Semiconductor
unknown
先頭1文字目のマーキング
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OTHER
unknown
各メーカー別マーキングコード体系 Code table according to each manufacturer.
番外編
TOP3000対応デバイス一覧表
MARKING CODE@wiki更新・改訂ページ(20件)
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MARKING CODE@wiki新規作成ページ(20件)
取得中です。
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Last-Modified:2025/08/05 16:30:00
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イオン注入によりr-GeO2半導体にn型導電性を付与することに成功:研究開発の最前線 - MONOist
ウエハーの傷にだけ色付けして撮影、検査スピードは数百倍に 東芝:TECHNO-FRONTIER 2025 - EE Times Japan
ローム、パワー半導体投入前倒し…SiCで中国猛追を引き離せるか - ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
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Ge半導体で「電気が流れやすくなる」方法を開発:Ge CMOS回路の実現に向けて - EE Times Japan
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最終更新:2009年09月07日 04:11