| 大体の 販売開始年 |
設計ルール名、シリーズ名 | プロセス、仕様など | 呼称(品名) |
| 1992年05月以前～ | CG10シリーズ | 固定チャネル型CMOSゲートアレイ ゲート遅延時間：標準ゲート 0.6ns／ゲート(f/o=2,標準負荷) パワーゲート 0.5ns／ゲート(f/o=2,標準負荷) 出力ドライブ能力：IOL=3.2／8／12／24mA 入力プルアップ／プルダウン抵抗内蔵(標準50kΩ) 発振回路用帰還抵抗内蔵 内部バス回路の構成可能 ノイズ低減回路付き出力バッファ UHBシリーズとセルコンパチブル 電源電圧：+5V±5%(標準) 動作温度：0～+70℃(標準) 開発期間：標準3週間(レイアウト後の動作確認完了後) |
MBCG10272 MBCG10342 MBCG10492 MBCG10572 MBCG10692 MBCG10103 MBCG10133 |
| 1992年05月以前～ | UHBシリーズ | 固定チャネル型CMOSゲートアレイ ゲート遅延時間：0.9ns／ゲート(f/o=2,標準負荷) 出力ドライブ能力：IOL=3.2／8／12／24mA 入力プルアップ／プルダウン抵抗内蔵(標準50kΩ) 発振回路用帰還抵抗内蔵 内部バス回路の構成可能 ノイズ低減回路付き出力バッファ 電源電圧：+5V±5%(標準) 動作温度：0～+70℃(標準) 開発期間：標準3週間(レイアウト後の動作確認完了後) |
MBCG10272 MBCG10342 MBCG10492 MBCG10572 MBCG10692 MBCG10103 MBCG10133 |
| 1992年05月以前～ | UHAシリーズ | 固定チャネル型CMOSゲートアレイ ゲート遅延時間：0.9ns／ゲート(f/o=2,標準負荷) 出力ドライブ能力：IOL=3.2／8／12／24mA アナログセル搭載のゲートアレイ化が可能 評価チップによりアナログセル特性をあらかじめ評価可能 CMOSゲートアレイUHBシリーズとロジックセル・コンパチブル 開発期間：標準5週間（レイアウト後の動作確認完了後） |
C-4100UHA(MB646041-000) |
| 1992年05月以前～ | UHBシリーズ | 固定チャネル型CMOSゲートアレイ ゲート遅延時間：0.9ns／ゲート(f/o=2,標準負荷) 出力ドライブ能力：IOL=3.2／8／12／24mA 入力プルアップ／プルダウン抵抗内蔵(標準50kΩ) 発振回路用帰還抵抗内蔵 内部バス回路の構成可能 ノイズ低減回路付き出力バッファ 電源電圧：+5V±5%(標準) 動作温度：0～+70℃(標準) 開発期間：標準3週間(レイアウト後の動作確認完了後) |
C-330UHB(MB625000) C-530UHB(MB624000) C-830UHB(MB623000) C-1200UHB(MB622000) C-1700UHB(MB621000) C-2200UHB(MB620000) C-3000UHB(MB606000) C-4100UHB(MB605000) C-6000UHB(MB604000) C-8700UHB(MB603000) C-12000UHB(MB602000) |
| 1992年05月以前～ | AVシリーズ | 固定チャネル型CMOSゲートアレイ ゲート遅延時間：1.4ns／ゲート(f/o=2,標準負荷) 出力ドライブ能力：IOL=3.2mA 電源電圧：+5V±5%(標準) 動作温度：0～+70℃(標準) 開発期間：標準3週間(レイアウト後の動作確認完了後) |
C-2600AV(MB654000) C-3900AV(MB653000) C-5000AV(MB652000) C-6600AV(MB651000) C-8000AV(MB650000) |
| 1992年05月以前～ | AVBシリーズ | 固定チャネル型CMOSゲートアレイ ゲート遅延時間：1.4ns／ゲート(f/o=2,標準負荷) 出力ドライブ能力：IOL=3.2／10mA 入力プルアップ／プルダウン抵抗内蔵(標準50kΩ) 電源電圧：+5V±5%(標準) 動作温度：0～+70℃(標準) 開発期間：標準3週間(レイアウト後の動作確認完了後) |
C-350AVB(MB675000) C-540AVB(MB674000) C-850AVB(MB673000) C-1200AVB(MB672000) C-1600AVB(MB671000) C-2000AVB(MB670000) |
| 1992年05月以前～ | AVMシリーズ | 固定チャネル型CMOSゲートアレイ ゲート遅延時間：1.4ns／ゲート(f/o=2,標準負荷) 出力ドライブ能力：IOL=3.2mA RAM(ROM)内蔵型 電源電圧：+5V±5%(標準) 動作温度：0～+70℃(標準) 開発期間：標準3週間(レイアウト後の動作確認完了後) |
C-1502AVM(MB662000) C-2301AVM(MB661000) C-4002AVM(MB660000) |
| 1992年05月以前～ | AVLシリーズ | 固定チャネル型CMOSゲートアレイ ゲート遅延時間：2.9ns／ゲート at 3V,10.8ns／ゲート at 1.5V 出力ドライブ能力：IOL=1.2mA 32kHz水晶発振可能 電源電圧：VDD=+1.2V～3.5V(標準乾電池1本で動作が可能) 動作温度：0～+70℃(標準) 開発期間：標準3週間(レイアウト後の動作確認完了後) |
C-350AVL(MB685000) C-540AVL(MB684000) C-850AVL(MB683000) C-1200AVL(MB682000) C-1600AVL(MB681000) C-2000AVL(MB680000) |
| 1992年08月以前～ | CG24シリーズ | 全面素子形成型CMOSゲートアレイ CG21シリーズをベースに少ゲート多ピン化 プロセス：CMOS Siゲートメタル二層配線 ゲート遅延時間：標準ゲート 0.55ns／ゲート(2入力NAND,標準負荷) パワーゲート 0.37ns／ゲート(2入力NAND,標準負荷,VDD=5V,Ta=25℃) 出力ドライブ能力：IOL=3.2,8,12,24mA 入力プルアップ／プルダウン抵抗内蔵(標準50kΩ) AU,CG21シリーズとセルコンパチブル 電源電圧：2.7～5.5V(標準) 動作温度：0～+70℃(標準) 開発期間：標準3.5週間(レイアウト後の動作確認完了後) 開発スケジュール 設計受付 1992年6月末 ES出荷 1992年7月 量産開始 1992年8月 |
MBCG24512 MBCG24692 MBCG24942 MBCG24123 MBCG24143 MBCG24173 MBCG24243 MBCG24283 |
| 1992年05月以前～ | CG31シリーズ | 全面素子形成型CMOSゲートアレイ ゲート遅延時間：標準ゲート 0.55ns／ゲート(f/o=2,標準負荷) パワーゲート 0.37ns／ゲート(f/o=2,標準負荷) 出力ドライブ能力：IOL=3.2,8,12,24mA 入力プルアップ／プルダウン抵抗内蔵(標準50kΩ) RAM,ROM,乗算器内蔵可能 内部バスの構成可能 ノイズ低減回路付き出力バッファ AUシリーズとセルコンパチブル 電源電圧：+5V±5%(標準) 動作温度：0～+70℃(標準) 開発期間：標準3.5週間(レイアウト後の動作確認完了後) |
MBCG31134 MBCG31164 MBCG31204 |
| 1992年05月以前～ | CG21シリーズ | 全面素子形成型CMOSゲートアレイ ゲート遅延時間：標準ゲート 0.55ns／ゲート(f/o=2,標準負荷) パワーゲート 0.37ns／ゲート(f/o=2,標準負荷) 出力ドライブ能力：IOL=3.2,8,12,24mA 入力プルアップ／プルダウン抵抗内蔵(標準50kΩ) RAM,ROM,乗算器内蔵可能 内部バスの構成可能 ノイズ低減回路付き出力バッファ AUシリーズとセルコンパチブル 電源電圧：+5V±5%(標準) 動作温度：0～+70℃(標準) 開発期間：標準3.5週間(レイアウト後の動作確認完了後) |
MBCG21103 MBCG21153 MBCG21203 MBCG21303 MBCG21403 MBCG21503 MBCG21753 MBCG21104 |
| 1992年05月以前～ | AUシリーズ | 全面素子形成型CMOSゲートアレイ ゲート遅延時間：標準ゲート 0.8ns／ゲート(f/o=2,標準負荷) パワーゲート 0.6ns／ゲート(f/o=2,標準負荷) 出力ドライブ能力：IOL=3.2,8,12,24mA 入力プルアップ／プルダウン抵抗内蔵(標準50kΩ) RAM,ROM,乗算器内蔵可能 内部バスの構成可能 内部ゲート数のうち最大75%が使用可能(ロジックのみの構成の場合は50%) バスの構成可 ノイズ低減回路付き出力バッファ 開発期間：C-10KAU～C20KAU 標準2.5週間(レイアウト後の動作確認完了後) C-30KAU～C100KAU 標準3週間(レイアウト後の動作確認完了後) |
C-10KAU(MB637000) C-15KAU(MB636000) C-20KAU(MB635000) C-30KAU(MB634000) C-40KAU(MB633000) C-50KAU(MB632000) C-75KAU(MB631000) C-100KAU(MB630000) |
