【沿革】
平成11年12月 ＮＥＣ日立メモリ株式会社を設立
平成12年４月 0.11μmプロセス以降を使ったＤＲＡＭ製品開発の事業を開始
平成12年５月 商号をエルピーダメモリ株式会社に変更
平成12年６月 欧州地域の営業拠点として、Elpida Memory（Europe）GmbHを設立
平成12年７月 香港を中心とするアジア地域の営業拠点として、Elpida Memory（Hong Kong）Co., Ltd.を設立
平成12年７月 シンガポールを中心とするアジア地域の営業拠点として、Elpida Memory（Singapore）Pte. Ltd.を設立
平成12年７月 台湾を中心とするアジア地域の営業拠点として、Elpida Memory（Taiwan）Co., Ltd.を設立
平成12年９月 北米地域での営業拠点として、Elpida Memory（USA）Inc.（以下、「エルピーダＵＳＡ」という。）を
日本電気株式会社（以下、「ＮＥＣ」という。）及び株式会社
日立製作所（以下、「日立」という）との共同出資により設立
平成13年２月 直径300mmのウエハを使った最先端自社工場（以下、「E300エリア１」という。）の建設に着手
平成13年２月 国内市場に対する販売業務開始
平成13年３月 海外市場（北米、欧州、アジア）に対する販売業務開始
平成15年１月 E300エリア１での試作を完了し、量産稼動を開始
平成15年３月 台湾のPowerchip Semiconductor Corporation（力晶半導体股分有限公司。以下、「ＰＳＣ社」という。）との間でＤＲＡＭ調達契約を締結
平成15年３月 米国Rambus Inc.（以下、「ラムバス社」という。）との間で、同社の開発したＸＤＲTM技術のライセンス契約を締結
平成15年３月
三菱電機株式会社よりＤＲＡＭ事業を譲受け、開発エンジニアを受け入れ
平成15年８月 ＰＳＣ社と0.11μmプロセス以下のＤＲＡＭ設計及びプロセス技術供与契約を締結
平成15年９月 生産を担当する子会社、広島エルピーダを設立、広島日本電気株式会社（以下、「ＮＥＣ広島」という。）から賃借を受け直径200mmのウエハを使った工場（以下、「E200」という。）の一体運営を開始
平成15年11月 Intel Capital Corporation（以下、「インテルキャピタル社」という。）、Kingston Technology Corporation、ＮＥＣ、日立、日本政策投資銀行及びその他投資家等から総額約1,700億円（借入、リースを含む）の資金調達を完了
平成15年12月 中国を拠点とするファンダリ先であるSemiconductor Manufacturing International Corporation（中芯国際集成電路製造有限公司。以下、「ＳＭＩＣ社」という。）との間で、同社への生産委託に関し契約を締結
平成16年３月 エルピーダＵＳＡのＮＥＣグループ及び日立グループ株式持分を取得し、100％子会社化
平成16年６月 E300エリア１の隣接地にて自社300mm工場エリア２及びエリア３（以下、「E300エリア２」「E300エリア３」という。）の建設に着手
平成16年９月 広島エルピーダがＮＥＣ広島の所有する土地、建物、生産設備等の全資産を取得、E200の所有を実現
平成16年11月 東京証券取引所市場第一部に株式を上場
平成17年８月 ウエハ検査工程の専門企業として株式会社テラプローブをKingston Technology Japan, LLC、Powertech Technology Inc.及び株式会社アドバンテストと合弁で設立
平成17年10月 E300エリア２での試作を完了し、量産稼動を開始
平成18年10月 日立より株式会社アキタ電子システムズ（以下、「アキタ電子」という。）及びアキタ電子の子会社である株式会社アキタセミコンダクタ（以下、「アキタセミコンダクタ」という。）の半導体後工程事業を譲受け、秋田エルピーダメモリ（以下、「秋田エルピーダ」という。）として事業開始
平成18年12月 70nmプロセスを使ったＤＲＡＭ製品の量産を開始
平成19年１月 ＰＳＣ社と台湾・中部サイエンスパーク内にＤＲＡＭ生産合弁会社を設立することで正式合意
平成19年２月 広島エルピーダの200mmウエハ処理用装置をCension Semiconductor Manufacturing Corporation （以下、「Cension社」という。）へ譲渡することについて、同社及びＳＭＩＣ社と基本合意
