ルネサスエレクトロニクス
本店：川崎市中原区下沼部1753番地
【商号履歴】
ルネサスエレクトロニクス株式会社（2010年４月１日～）
ＮＥＣエレクトロニクス株式会社（2002年11月１日～2010年４月１日）
【株式上場履歴】
＜東証１部＞2003年７月24日～
【合併履歴】
2010年４月１日 株式会社ルネサステクノロジ
2006年11月 日 ＮＥＣデバイスポート株式会社
2006年４月 日 ＮＥＣ化合物デバイス株式会社
【沿革】
当社は、旧商法第373条以下の規定（以下「会社分割法制」という。）に基づく新設分割（以下「会社分割」という。）の方法により、平成14年８月30日に開催されたＮＥＣの臨時株主総会において承認された会社分割計画書に基づき、同社の汎用ＤＲＡＭ事業を除く半導体に関する研究、開発、製造、販売およびサービスに関する事業を承継するＮＥＣの100％子会社として平成14年11月１日に設立されました。このため、設立前については当時のＮＥＣにおける当社の事業に関係する事項について参考情報として記載しております。
明治32年７月 東京・三田（港区）において岩垂邦彦が米国ウェスタンエレクトリック社と共同で、電話機などの製造・販売を行う「
日本電気㈱」を設立
昭和18年２月 社名を「住友通信工業㈱」に変更
昭和20年11月 社名を「日本電気㈱」に復帰
昭和24年４月 マイクロ波通信用ゲルマニウム・ミキシングダイオードの研究を開始
昭和25年８月 トランジスタの研究を開始
昭和36年４月 事業部制採用（電子部品事業部設置）
昭和41年11月 集積回路事業グループを設置
平成11年12月 汎用ＤＲＡＭ事業を分社化し、㈱
日立製作所と共同出資により
エルピーダメモリ㈱（設立当初は
ＮＥＣ日立メモリ㈱）を設立
平成12年４月 社内カンパニー制導入。汎用ＤＲＡＭを除く半導体事業はＮＥＣエレクトロンデバイス（現在はカンパニーではなく「エレクトロンデバイス事業」セグメント）に所属
平成14年５月 汎用ＤＲＡＭを除く半導体事業を会社分割法制に基づき分社化する計画を発表
平成14年８月 臨時株主総会にて、汎用ＤＲＡＭを除く半導体事業を会社分割する会社分割計画書を承認
平成14年11月 汎用ＤＲＡＭを除く半導体事業を会社分割により分社化し、神奈川県川崎市に当社を設立（資本金50,000百万円）
平成15年７月 東京証券取引所市場第一部に株式を上場
平成16年５月 山形日本電気㈱の高畠工場における後工程部門を、台湾のＡＳＥグループに売却
平成16年７月 当社から試作部門を分社化し、試作サービスの提供を主要業務とするＮＥＣファブサーブ㈱を設立
平成16年10月 ＮＥＣセミコンダクターズ九州㈱に山口日本電気㈱の組立および検査工程（後工程）を統合し、ＮＥＣセミコンパッケージ・ソリューションズ㈱に社名変更
平成17年１月 山形日本電気㈱において300mmウエハ生産ラインの量産稼働開始
平成17年10月 首鋼日電電子有限公司の半導体開発および販売部門を北京ＮＥＣ集成電路設計有限公司に統合し、日電電子(中国)有限公司に社名変更
平成18年４月 ＮＥＣ化合物デバイス㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併
平成18年９月 韓国における営業拠点としてNEC Electronics Korea Limitedを設立
平成18年９月 NEC Semiconductors Ireland Limitedの組立および検査工程（後工程）ラインを閉鎖
平成18年11月 ＮＥＣデバイスポート㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併
平成19年６月 ＮＥＣファブサーブ㈱のフォトマスク事業を
大日本印刷㈱へ譲渡
最終更新：2016年09月23日 01:23
