問１
（１）②
a-bの回路を描きなおして、対象性があることに注意。
抵抗における電圧の分圧は、比率に応じて決まるので、対称部分をつなぐ電位が一致か異なるかで難易度が決まる。
本問題では、右上部分と、左下部分に分けて考えることができる。
それぞれの抵抗値を求めると 3R となる。
3Rの並列接続なので、全抵抗は 3R/2 となる。
3R/2 = 18 をといて、R=12となる。
別途ファイル参照（リンクまだ）
（２）④
抵抗に流れる電流Icはオームの法則より、Ic= V/R = 96/ 12 = 8
回路全体に流れる電流と、抵抗に流れる電流のの比が0.8なので、回路電流を計算する。
ただし、抵抗とコンデンサの位相は同じ。コンデンサの電圧はコンデンサの電流よりπ/2進んでいることに注意。
また、回路の電流は、抵抗の電流とコンデンサの電流の和になる。
比が0.8であるので、抵抗の電流より、10A流れることがわかる。
0度方向に抵抗に流れる電流(=8A)、90度方向にコンデンサ電流(??)、右上方向に回路電流(=10A)の配置になる。
したがって、10^2 = 8^2 + I^2 となり、Iは6Aとなる。
電流と電圧が求まったので、オームの法則より、コンデンサの容量性リアクタンス(Xc)を求める。
（ V = Xc * I ）
（３）④
（４）③
インピーダンスはZ=R + jwL -j(1/wC) = R + j(wL -1/wC)
虚軸部分がマイナスのとき、電圧の位相は電流に対して送れることになる。
この条件は、wL - (1 / wC) < 0
問２
（１）② 【11/17 17：58 修正】
Ａ：ｐ型もしくはｎ型半導体には、それぞれ正孔もしくは自由電子のみがあるのではなく、両方が存在する。
ｐ型領域の多数キャリアは正孔（ホール）、少数キャリアは自由電子
ｎ型領域の多数キャリアは自由電子、少数キャリアは正孔
（２）④
トランジスタの記号、Ｂ（ベース）、Ｅ（エミッタ）、Ｃ（コレクタ）は抑えておくこと。
ＶBEの電圧は0.7なので、抵抗にかかる電圧は1.3(=2 - 0.7)
ベース電流を求めるとIb=1.3 / 65000 = 0.00002 [mA]
電流増幅率は100なので、Ic=βIbより、Ic= 100 * 0.00002 = 0.002
コレクタにある抵抗Rcにかかる電圧は Vc = Rc * Ic = 2000 * 0.002 = 4
（３）②
S-RAMはFF（フリップフロップ）による記憶
D-RAMはコンデンサによる記憶。ただしコンデンサは放電するため、一定周期で再充電が必要。
（４）①
（５）①
問３
（１）②
（２）③ （④は誤りでした 2009/11/19 17:48 update）
| A |
B |
a |
b |
c |
d |
| 0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
| 0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
| 1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
| 1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
（３）④ c4
回路を条件式で表すと以下のとおり。展開する。
~( ~(a+b) + ~(a・b))
= ~~(a + b ) ・ ~~(a・b)
= ( a + b )(ab)
=ab + ab =ab
（４）②
問４
（１）④
発信器の出力が24mW
電気通信回線の減衰は1kmあたり0.8dBm/kmなので、0.8 * 25 = 20dBの減衰となる。
増幅器により30dBのゲインがあるので、全体としては -20+30 = 10dB の利得がある。
したがって、10dB のゲインは倍率で10倍となる。
発信器からの出力は、24mW * 10 ＝ 240mWで変成器に伝えられる。
変成器で伝えられる電力は等しいので、
【コメント】
- 問３の２番解説お願いします -- 島野 (2009-11-17 10:16:44)
最終更新：2009年11月19日 17:48
