【平成20年5月基礎】

	ア	イ	ウ	エ	オ
問１	②	③	①	②	-
問２	①	③	②	③	③
問３	①	②	④	②	-
問４	③	③	④	②	ｰ
問５	②	①	①	④	③

問１（２）　回路の抵抗、コンデンサ、コイルにかかる電圧は位相も含めて等しいが、回路の各部を流れる電流は、位相がずれる。回路の合成電流を電圧を基準にして考えると、抵抗の電流は電圧と同位相、コイルの電流は電圧よりπ/2遅れ、コンデンサの電流は電圧よりπ/2進む。このことを考慮し回路の合成電流を計算すると、電流は５アンペア、電圧に比べて電流の位相は30度進むことになる。従って、回路にかかる電圧を、電流で割ることで回路抵抗の６オームとなることから、V/5=6の式が成立し、回路の電圧は30Vということがわかる。抵抗には３アンペアの電流が流れるため、抵抗はR=V/I=30 / 3 = 10 オームとなる。

問２（１）　ｎ型半導体の中には自由電子が多く存在する。また、自由電子を提供するために混ぜた５価の原子をアクセプタという。

問２（２）　電圧利得で６０デシベルであるので、増幅率Gと利得Gpの関係は　Gp = 20 log G となる。電圧・電流はlogの前の計数が異なるので注意。　従って、Gは１０００倍となる。入力電圧は０．１ボルトであるので、１０００倍にすると出力は１００ボルトとなる。流れる電流は、電圧/抵抗＝１００／１００００オーム　＝０．０１ボルト＝１０ミリボルトとなる。

問２（３）　コンデンサにデータを蓄えるのはD-RAMである。D-RAM中のコンデンサは自然放電し値を維持できないので、途中で保持している値になるように再チャージする作業をリフレッシュという。　

問２（５）　エミッタ接地の電流増幅率は、コレクタ電流をベース電流で割ったもの。また、ベース電流Ib、コレクタ電流Ic、エミッタ電流Ieには、Ie=Ib+Icの関係がある。まず、ベース電流Ibをもとめると、Ib=Ie-Ic＝2-1.96=0.04ミリアンペア。電流増幅率Hfe＝Ic/Ib=1.96/0.04=49倍。

問４（１）　入力が１５０ｍV、出力が１５ｍVなので、その倍率は１／１０となる。これをデシベル表示すると、20 log 出力電圧/入力電圧　となる。従って、20 log 0.1 = －２０デシベルとなる。また、電気通信回線の遠端漏話減衰量をAとし、線路全体の減衰量をもとめると、-A+18となる。線路全体の減衰量は、信号から求めた減衰量の20デシベルに等しいので、－A+18=ー20 ちなり、遠端減衰量は38デシベルとなる。

問４（３）　漏話減衰量＝10log（送信電力）／（漏話電力）　＝10log（送信電力）　-　１0log（漏話電力）と変形できる。1mWを基準にして考えると、信号入力の絶対デシベルから、漏話電力の絶対デシベルを引いたものに等しいことになる。このため、近端漏話減衰量は、信号入力(12dBm）から、近端漏話レベル（-24dBm）を引いたものとなる

問５（２）　B:バンドパスフィルターの説明

問５（３）　B:WDMは光波長多重分割方式である。

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