Intel Turbo Memory (Robson) [2007/5～]
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Intel Z-U130 (Zepherin) [2007/3～]
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※は付いているものはデータシートに記載が無いもの
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Intel Z-P140 (Mount Thunderbolt) [2007/12～]
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Intel Z-P230 (Castle Point) [2008/6～2009/6]
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※が付いているものは Product Manual には記載されていない
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G1 (PC29AS21AA0 + 50nm)
Intel X25-M / X18-M / X25-E (G1、Ephraim) [2008/9～]
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._ Ω ._ エーーックス r||n（ﾟωﾟ）r||n ニジュウゴ エーーーッムッッ！
※1：X25-E の 50nm SLC NAND フラッシュメモリと X25-M の 50nm MLC NAND フラッシュメモリのスペック上の Program/Erase Cycle はそれぞれ 10万回と 1万回。ただしあくまで保証値なので実際には更に高い耐久性があると見てよい。SSD としての保証書き換え量は X25-E の方は WA が悪化しやすいランダムライト時の値。5年(1835日)で割ると、X25-E(32GB)は一日あたり最低でも 544GB 、64GB 版ではその倍書き換えられる計算になり寿命の心配は全くしなくて良いレベル。尚、50nm SLC のフラッシュ単体のデータリテンションはデータシートによると 10年。MLC 版は一日 20GB を書き換えても最低 5年持つとされている。36.5TB という数字は単純に 20GB * 365 * 5 で求めた数字で、Intel 側は一年を週 6 * 52 週で計算している可能性があり、この場合は 31.2TB になる。
※2：これは http://qdms.intel.com/MDDS/MDDSView.aspx に登録されていた ES 品で、G1 の時点で特殊な容量体系がを見直す動きが合った事を示唆している。
※1 Marvell の設計が元になっているという噂がある。
※2 ワークメモリはディスクキャッシュとしてでなくウェアレベリング時の一時データ退避場所としてのみ使用、ディスクキャッシュはコントローラー内蔵 256KB SRAM (Micron によると2MB)。 ※X25-E (G1) のPCB Rev.1はコントローラーチップやNANDフラッシュメモリが樹脂で固めれていて、PCB Rev.2 では樹脂は使用されていない。樹脂は個体によって塗布状態が違い、しかも気泡が認められる為手作業で塗布されていた可能性あり。 ※X25-M (G1) のPCB は今のところ Rev.1 のみ確認。樹脂で固められている個体とそうでない個体が混在。樹脂は個体によって塗布状態が違い、しかも気泡が認められる為手作業で塗布されていた可能性あり。 ※いずれも他社の SSD に比べ旧式の設備で製造されている可能性がある。 |
Intel X25-M / X18-M / X25-E (G1、Ephraim) OEM 版
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G2 系 (PC29AS21BA0 -F0* /F1* + 34nm)
Intel X25-M / X18-M (G2、Postville) & X25-V (G2、Glen Brook) [2009/7～]
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／￣＼ │34nm | ＼＿／ インテル！ ＿|_|＿ ｎ: ／ ＼ ｎ: |｜ / ヽ |｜ ｆ｢| |^ﾄ | :::＼::／::: | ｢| |^|`| エーーックス |: :: ! } | <(ﾟ)>::::<(ﾟ)> | | ! : ::} ニジュウゴ ヽ ,ｲ ヽ （__人__） / ヽ ,ｲ エーーーッムッッ！ ＼ ｀⌒´ ／
※1：Product code 末尾によって付属品等が異なる。詳細はトップの 「Product code」 命名規則参照。末尾 "01" は初期に極少量が流通、末尾 "C1" と "R5" は前期に流通、"C1" と "R5" の価格が下がった後期には "C1" と "R5" よりやや価格が高い "K5" が登場し、その後はほぼ "K5" のみの流通になった。
※2：ドライブ全体の内 8GB のみを計測した場合。ドライブ全域を計測した場合 RW4KB の IOPS は 300 まで低下する。 ※3：寿命は「Enterprise Server/Storage Applications Product Manual Addendum」掲載の 100% ランダムライト時の数値で G1 の概算とは計算方法が異なることに注意。IDF2009の資料ではより詳細に記載されており X25-M の 160GB 版で 100% ランダムライトで 15TB、100% シーケンシャルライトで 370TB 書き込める事になっている。これらの数値は極低い確率でセルが欠損し始める保証値であって、その容量を書き込んでもセルの欠損が必ず起きる訳ではないしセルが欠損してもある程度は予備領域で代替する事によりこれらの数値よりも長い寿命が見込める。実際に trim コマンドを有効にした状態での X25-V(40GB) の書き込み耐久テストでは 2011/2時点で書き込み量は 850TB 以上に達している。34nm の NAND フラッシュのデータシート上のデータリテンションは保証書き換え量を超えていない時点で"JEDEC compliant (つまり 1年以上)"となっており、保証書き換え量を大幅に超えた場合はデータ保持期間がより短くなる可能性があるが、同 Intel の 50nm MLC (MD516) のデータシート上のデータリテンションは 10年となっていたものが 34nm にシュリンクし急激に 1/10 になる事は考えにくいのでこちらもかなり余裕のある数値とみられる。Intel の 34nm MLC (MD332) のデータシート上の Program/Erase Cycle は 5000 回。
※1 Marvell の設計が元になっているという噂がある。
※2 ワークメモリはディスクキャッシュとしてでなくウェアレベリング時の一時データ退避場所としてのみ使用、ディスクキャッシュはコントローラー内蔵 SRAM で容量は Intel 天野氏によるとスペックに書けないほど小さい (256KB) とのこと。しかし Micron によると 内蔵 SRAM の容量は 2MB あるとされている ※3 2CV102HA 以降のファームウェアを搭載した個体のみ ※ X25-M (G2) のPCB は今のところ Rev.1 のみ確認。G1と共用ではない。コントローラーチップのみ樹脂で固められていて、X25-M (G1) や X25-E (G1) よりもデバッグ用のランドが減っている。 ※ X25-V (G1) の PCB は X25-M (G2) と共通と見られる。
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Intel X25-M / X18-M (G2、Postville) & X25-V (G2、Glen Brook) OEM 版
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Intel SSD 310 (G2、Soda Creek) [2011/1～]
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（X220の一部で認識できないトラブルが発生している模様）
※ 100% ランダム書き込み時
※ Product code/device name 末尾が"HP"や"LE"となる HP や Lenovo の OEM 版 (FRU:45N8259,80GB) が存在する。
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Intel SSD 311 (G2、Larsen Creek) [2011 Q3～]
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