| ニクロムインゴット(Nichrome Ingot) | |
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製錬:ニッケルインゴット(Nickel Ingot)×1 ・ニッケルの粉(Nickel Dust)×１ |
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電気高炉(MV)[1700K]：クロムインゴット(Chrome Ingot)×1 ・クロムの粉(Chrome Dust)×１ |
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電気高炉(HV)[2700K]：ホットニクロムインゴット(Hot Nichrome Ingot)×5 ・クロムインゴット(Chrome Ingot)×１ ・ニッケルインゴット(Nickel Ingot)×4 |
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真空冷凍機(MV)：ニクロムインゴット(Nichrome Ingot)×1 ・ホットニクロムインゴット(Hot Niｃhrome Ingot)×１ |
| ニクロムコイルブロック(Nichrome Coil Block) | |
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ワイヤー作成機(LV)：1倍ニクロムワイヤー(1x Nichrome Wire)×2 ・ニクロムインゴット(Niｃhrome Ingot)×１ |
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クラフト：2倍ニクロムワイヤー(2x Nichrome Wire)×1 ・1倍ニクロムワイヤー(1x Nichrome Wire)×2 |
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クラフト：ニクロムコイルブロック(Nichrome Coil Block)×1 ・2倍ニクロムワイヤー(2x Nichrome Wire)×8 ・レンチ(Wrench)：1 |
| タングステンの粉(Tungsten Dust) | |
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電解槽(EV)：タングステンの粉(Tungsten Dust)×1＋カルシウム・リチウムの粉(Calcium・Lithium Dust×2)＋酸素(Oxygen)：4000mB ・灰重石・タングステン酸塩の粉 (Scheelite・Tungstate Dust)×7 ・水素(Hydrogen)：7000mB |
| タングステンインゴット(Tungsten Ingot) | |
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電気高炉(MV)[3000K]：ホットタングステンインゴット(Hot Tungsten Ingot)×1 ・タングステンの粉(Tungsten Dust)×１ |
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真空冷凍機(MV)：タングステンインゴット(Tungsten Ingot)×1 ・ホットタングステンインゴット(Hot Tungsten Ingot)×１ |
| タングステン鋼インゴット(Tungstensteel Ingot) | |
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電気高炉(HV)[3000K]：ホットタングステン鋼インゴット(Hot Tungstensteel Ingot)×2 ・タングステンインゴット (Tungsten Ingot)×１ ・鋼鉄インゴット (Steel Ingot)×1 |
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真空冷凍機(MV)：タングステン鋼インゴット(Tungstensteel Ingot)×1 ・ホットタングステン鋼インゴット(Hot Tungstensteel Ingot)×１ |
| 溶融ポリテトラフルオロエチレン(Molten Polytetrafluoroethylene) | |
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化学反応炉(LV)：クロロフォルム(Chloroform)：1000mB＋塩化水素セル(Hydrochloric Acid Cell)×3＋空のセル(Empty Cell)×1 ・塩素セル(Chlorine Cell)×6 ・プログラム回路[3](Programmed Circuit [3]：1 ・メタン(Methane)：１000mB |
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化学反応炉(LV)：フッ化水素酸セル(Hydrofluoric Acid Cell)×1 ・フッ素セル(Fluorine Cell)×1 ・プログラム回路[11](Programmed Circuit [11]：1 ・水素(Hydrogen)：１000mB |
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化学反応炉(HV)：テトラフルオロエチレン(Tetrafluoroethylene)：500mB＋希塩酸セル(Diluted Hydrochloric Acid Cell)×1 ・フッ化水素酸セル(Hydrofluoric Acid Cell)×2 ・空のセル(Empty Cell)×1 ・クロロフォルム(Chloroform)：1000mB |
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化学反応炉(LV)：溶融ポリテトラフルオロエチレン(Molten Polytetrafluoroethylene)：216mB＋空のセル(Empty Cell)×1 ・酸素セル(Oxygen Cell)×1 ・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1]：1 ・テトラフルオロエチレン(Tetrafluoroethylene)：144mB |
| 大型化学反応炉構成ブロック | |
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クラフト：大型化学反応炉本体(Large Chemical Reactor)×1 ・発展回路[HV回路] (Advanced Circuit)×4 ・大型テフロン液体パイプ(Large PTFE Fluid Pipe)×2 ・ステンレス鋼ローター(Stainless Steel Rotor)×1 ・電気モーター（HV）(Electric Motor (HV) )×1 ・HVマシン筐体(HV Machine Hull)×1 |
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Assembler[LV]：化学不活性マシン外装(Chemically Inert Machine Casing)×1 ・鋼鉄マシン外装 (Sollid Steel Machine Casing)×1 ・プログラム回路[6](Programmed Circuit [6]：1 ・溶融ポリテトラフルオロエチレン(Molten Polytetrafluoroethylene)：216mB |
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クラフト：テフロンパイプ外装(PTFE Pipe Casing)×2 ・ポリテトラフルオロエチレンシート(Polytetrafluoroethylene Sheet)×4 ・テフロン液体パイプ(PPTFE Fluid Pipe)×4 ・ポリテトラフルオロエチレンフレームボックス(Polytetrafluoroethylene Frame Box)×1 |
| ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit) | |
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化学反応炉(EV)：ナノCPUウエハー(NanoCPU Wafer)×1 ・CPUウエハー(Central Processing Unit (Wafer))×1 ・カーボン繊維(Raw Carbon Fibre)×16 ・液体グローストーン(Molten Glowstone)：576mB |
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切断機(MV)：ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×7 ・ナノCPUウエハー(NanoCPU Wafer)×1 ・潤滑油(Lebricant)：22mB |
| グリセロール(Glycerol) | |
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化学反応炉(LV)：水酸化ナトリウム(Sodium Hydroxide Dust)×1＋水素(Hydrogen)：1000mB ・ナトリウム(Sodium Dust)×1 ・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1]：1 ・水(Water)：１000mB |
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Fluid Extractor (LV)：種オイル(Seed Oil)：10mB ・種(～ Seed)×1 |
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Large Chemical Reactor (MV)：メタノール(Mthanol)：1000mB ・カーボンの粉(Carbon Dust)×1 ・酸素(Oxygen)：1000mB ・水素(Hydrogen)：4000mB ・プログラム回路[23](Programmed Circuit [23])：1 |
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Large Chemical Reactor (LV)：グリセロール(Glycerol)：1000mB＋バイオディーゼル(Bio Diesel)：6000mB ・カとても小さな水酸化ナトリウムの粉(Tiny Pile of Sodium Hydroxide Dust)×1 ・種オイル(Seed Oil)：6000mB ・メタノール(Mthanol)：1000mB |
| エピクロロヒドリン(Epichlorohydrin) | |
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Large Chemical Reactor(LV)：塩化水素(Hydrochloric Acid)：1000mB ・水素(Hydrogen)：１000mB ・塩素(Chlorine)：１000mB ・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1]：1 |
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Large Chemical Reactor (LV)：エピクロロヒドリン(Epichlorohydrin)：1000mB＋水(Water)：2000mB ・グリセロール(Glycerol)：1000mB ・塩化水素(Hydrochloric Acid)：1000mB |
| アセトン(Acetone) | |
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Large Chemical Reactor (LV)：酢酸(Acetic Acid)：1000mB ・カーボンの粉(Carbon Dust)×2 ・酸素(Oxygen)：2000mB ・水素(Hydrogen)：4000mB ・プログラム回路[24](Programmed Circuit [24])：1 |
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Large Chemical Reactor (LV)：アセトン(Acetone)：4000mB＋二酸化炭素(Carbon Dioxide)：4000mB ・[方解石/カルシウム/生石灰]の粉([Calcite/Calcium/Quicklime] Dust)×1 ・酢酸(Acetic Acid)：4000mB ・プログラム回路[24](Programmed Circuit [24])：1 |
| フェノール(Phenol) | |
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Fluid Extractor (LV)：木タール(Wood Tar)：100mB＋灰(Ashes)×1[10%] ・木炭(Charcoal)×1 |
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Distillery (MV)：フェノール(Phenol)：15mB ・木タール(Wood Tar)：200mB ・プログラム回路[2](Programmed Circuit [2])：1 |
| 溶融ビスフェノールA(Molten Bisphenol A) | |
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Large Chemical Reactor (LV)：溶融ビスフェノールA(Molten Bisphenol A)：1000mB ・塩化水素(Hydrochloric Acid)：1000mB ・フェノール(Phenol)：2000mB ・アセトン(Acetone)：1000mB ・プログラム回路[1](Programmed Circuit [1])：1 |
| 溶融エポキシ樹脂(Molten Epoxy Resin) | |
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Large Chemical Reactor (LV)：溶融エポキシ樹脂(MoltenEpoxy Resin)：1000mB＋塩水(Salt Water)：1000mB ・水酸化ナトリウム(Sodium Hydroxide Dust)×1 ・エピクロロヒドリン(Epichlorohydrin)：1000mB ・溶融ビスフェノールA(Molten Bisphenol A)：1000mB |
| エポキシ基板(Epoxy Circuit Board) | |
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Fluid Solidifier (LV)：エポキシ樹脂シート(Epoxy Resin Sheet)×1 ・鋳型[プレート] (Mold (Plate) )：1 ・溶融エポキシ樹脂(Molten Epoxy Resin)：144mB |
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[Large] Chemical Reactor (LV)：エポキシ基板(Epoxy Circuit Board)×1 ・エポキシ樹脂シート(Epoxy Resin Sheet)×1 ・銅箔(Copper Foil)×1 ・硫酸(Sulfric Acid)：125mB |
| ナノプロセッサ(Nanoprocessor) | |
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回路作成機(EV)：ナノプロセッサ(Nanoprocessor)×1 ・エポキシ基板(Epoxy Circuit Board)×1 ・ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×1 ・チップ抵抗器（SMD Resister）×2 ・チップコンデンサ（SMD Capacitor）×2 ・チップトランジスタ（SMD Transistor）×2 ・エレクトラムの細線（Fine Electrum Wire）×2 ・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[72/144/288]mB |
| ナノプロセッサアセンブリ(Nanoprocessor Assembly) | |
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回路作成機(EV)：ナノプロセッサアセンブリ(Nanoprocessor Assembly)×1 ・エポキシ基板(Epoxy Circuit Board)×1 ・ナノプロセッサ(Nanoprocessor)×2 ・小型コイル（Small Coil）×4 ・チップコンデンサ（SMD Capacitor）×4 ・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4 ・エレクトラムの細線（Fine Electrum Wire）×6 ・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[144/288/576]mB |
| エリートナノコンピュータ(Elite Nanocomputer) | |
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回路作成機(EV)：エリートナノコンピュータ(Elite Nanocomputer)×1 ・エポキシ基板(Epoxy Circuit Board)×2 ・ナノプロセッサアセンブリ(Nanoprocessor Assembly)×3 ・チップダイオード（SMD Diode）×4 ・NORメモリチップ(NOR Memory Chip)×4 ・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4 ・エレクトラムの細線（Fine Electrum Wire）×6 ・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[144/288/576]mB |
| ナノプロセッサメインフレーム(Nanoprocessor Mainframe) | |
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回路作成機(EV)：ナノプロセッサメインフレーム(Nanoprocessor Mainframe)×1 ・アルミニウムフレームボックス(Aluminium Frame Box)×1 ・エリートナノコンピュータ(Elite Nanocomputer)×4 ・小型コイル（Small Coil）×4 ・チップコンデンサ（SMD Capaccitor）×24 ・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×16 ・1倍軟銅ワイヤー（1x Annealed Copper Wire）×12 ・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[288/576/1152]mB |
