| 1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire) | ||
|---|---|---|
| とても小さなタングステン鋼液体パイプ (Tiny Tungstensteel Fluid Pipe) |  |
押出加工機(HV)：とても小さなタングステン鋼液体パイプ (Tiny Tungstensteel Fluid Pipe)×2 ・タングステン鋼インゴット (Tungstensteel Ingot)×１ ・押出加工機の型[とても小さなパイプ] (Extruder Shape (Tiny Pipe) )：１ |
| ホットバナジウムガリウムインゴット (Hot Vanadium-Gallium Ingot) |  |
電気高炉(HV)[4500K]：ホットバナジウムガリウムインゴット (Hot Vanadium-Gallium Ingot)×4 ・ガリウムインゴット (Gallium Ingot)×１ ・バナジウムインゴット (Vanadium Ingot)×3 |
| バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot) |  |
真空冷凍機(MV)：バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot)×1 ・ホットバナジウムガリウムインゴット (Hot Vanadium-Gallium Ingot)×１ |
| バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot) |  |
ワイヤー作成機(LV)：1倍バナジウムガリウムワイヤー (1x Vanadium-Gallium Wire)×2 ・バナジウムガリウムインゴット (Vanadium-Gallium Ingot)×１ |
| 1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire) |  |
クラフト：1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×3 ・1倍バナジウムガリウムワイヤー (1x Vanadium-Gallium Wire)×3 ・とても小さなタングステン鋼液体パイプ (Tiny Tungstensteel Fluid Pipe)×2 ・電気ポンプ[LV] (Electric Pump (LV) )×2 ・窒素セル (Nitrogen Cell)×１ ・ヘリウムセル (Hellium Cell)×１ |
| レシピ本：核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I)) | ||
| [スキャン]核融合制御コンピュータマークⅠ(Fusion Control Computer Mark I) |  |
スキャナー[レシピスキャン](LV～)：データスティック (Data Stick)[核融合制御コンピュータマークⅠ] ・1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×1 ・データスティック (Data Stick)：１ ※右下に配置 |
| イカスミ (Squid Ink) |  |
Fluid Extractor (LV)：イカスミ (Squid Ink)：144mB ・イカスミ (Ink Sac)×1 |
| 印刷ページ(Printed Pages) |  |
プリンター (LV)：印刷ページ(Printed Pages)×1 ・紙 (Paper)×3 ・イカスミ (Squid Ink)：144mB ・データスティック (Data Stick)[核融合制御コンピュータマークⅠ]：１ ※右下に配置 |
| 記入済みの本(Written Book)[核融合制御コンピュータマークⅠ] |  |
組立機 (LV)：記入済みの本(Written Book)×1 ・印刷ページ(Printed Pages)×1 ・革 (Leather)×1 ・のり (Glue)：20mB |
| + | レシピ ネタバレ注意 |
| LuVマシン外装(LuV Machine Casing) |  |
クラフト：LuVマシン外装(LuV Machine Casing)×1 ・クロムプレート (Chrome Plate)×8 ・レンチ：1 |
| LuVマシン筐体(LuV Machine Casing) |  |
組立機(LV)：LuVマシン筐体(LuV Machine Casing)×1 ・LuVマシン外装(LuV Machine Hull)×1 ・1倍バナジウムガリウムケーブル (1x Vanadium-Gallium Cable)×2 ・溶融ポリエチレン：288mB |
| LuVエネルギーハッチ(LuV Energy Hatch) |  |
クラフト：LuVエネルギーハッチ(LuV Energy Hatch)×1 ・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1 ・1倍バナジウムガリウムケーブル (1x Vanadium-Gallium Cable)×1 |
| LuV搬入ハッチ(LuV Input Hatch) |  |
クラフト：LuV搬入ハッチ(LuV Input Hatch)×1 ・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1 ・強化ガラス (Reinforced Glass)×1 |
| LuV搬出ハッチ(LuV Output Hatch) |  |
クラフト：LuV搬出ハッチ(LuV Output Hatch)×1 ・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×1 ・強化ガラス (Reinforced Glass)×1 |
 |
| 1段目 ・LuVマシンケーシング：32 2段目 ・超電導コイルブロック:32 ・LuVマシンケーシング:58～46 ・LuVエネルギーハッチ:4～16 ・LuV搬出ハッチ:1 ・核融合炉Mk.1本体ブロック:1 3段目 ・LuVマシンケーシング：32 |
| GUI | NEIレシピ |
 |
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| クラフトごとに起動する際に起電力が必要になる。核融合炉Mk.1に取り付けたエネルギーハッチの数で蓄電量が決まる（エネルギーハッチ1個で1000万EU蓄電でき、最大で16個設置できる） | |
| ヘリウム3(Helium-3) |  |
遠心分離機(LV)：ヘリウム3(Helium-3)：100mB ＋ エンドストーン(Endstone Dust)×1 ・汚れたエンドストーンの粉(Impure Pile of Endstone Dust)×1 ・ヘリウム3(Helium-3)：100mB 遠心分離機(MV)：ヘリウム3(Helium-3)：1mB ・ヘリウム(Helium)：16mB |
| 重水素(Deuterium) |  |
遠心分離機(LV)：重水素(Deuterium)：4mB ・水素(Hydrogen)：16mB |
| ヘリウムプラズマ(Hellium Plasma) |  |
核融合炉(EV)：ヘリウムプラズマ(Hellium Plasma)：125mB ・ヘリウム3(Helium-3)：125mB ・重水素(Deuterium)：125mB 起電力：60'000'000EU |
| 溶融ユーロピウム(Molten Europium) |  |
核融合炉(LuV)：溶融ユーロピウム(Molten Europium)：16mB ・水素(Hydrogen)：48mB ・溶融ネオジム(Molten Neodymium)：16mB 起電力：150'000'000EU レート：水素：3 + 溶融ネオジム：1→ 溶融ユーロピウム：1 |
| クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) | |
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回路組立機(LuV～)：多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×1 ・クリスタルプロセッシングユニット(Crystal Processing Unit)×1 ・ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×1 ・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×2 ・チップトランジスタ(SMD Transistor)×2 ・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×2 ・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[72/144/288]mB |
| 1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable) | ||
|---|---|---|
| イットリウムの粉(Small Yttrium Dust) |  |
遠心分離機[Centrifuge](LV～)： ・レアアース(Rare Earth)×1 ※25％の確率で入手できる。 レアアースはレッドストーン鉱石の加工やモナズ石の粉の電気分解等で入手できる。 |
| バリウムの粉(Barium Dust) |  |
電気分解[Electrolyzer](MV～)： ・重晶石の粉(Barite Dust)×6 重晶石はクォーツ鉱脈から入手できる。 |
| イットリウムバリウム銅酸塩の粉(Yttrium Barium Cuprate Dust) |  |
クラフト： ・イットリウムの粉(Yttrium Dust)×1 ・バリウムの粉(Barium Dust)×2 ・銅の粉(Copper Dust)×3 |
| イットリウムバリウム銅酸塩インゴット(Yttrium Barium Cuprate Ingot) |  |
電気高炉(MV～)[4500K～]： ・イットリウムバリウム銅酸塩の粉(Yttrium Barium Cuprate Dust)×1 真空冷凍機(MV～)： ・ホットイットリウムバリウム銅酸塩インゴット(Hot Yttrium Barium Cuprate Ingot)×1 |
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| 1倍イットリウムバリウム銅酸塩ケーブル(1x Yttrium Barium Cuprate Cable) |  |
ケーブル作成機[Wiremill](LV～)： ・イットリウムバリウム銅酸塩インゴット(Yttrium Barium Cuprate Ingot)×1 組立機(LV～)： ・1倍イットリウムバリウム銅酸塩ワイヤー(1x Yttrium Barium Cuprate Wire)×1 ・[イットリウムバリウム銅酸塩ホイル(Yttrium Barium Cuprate Foil)/ポリフェニレンスルファイドホイル(Polyphenylene Sulfide Foil]×1 ・プログラム回路[24](Programmed Circuit[Config = 24])：1 ・[溶融シリコーンゴム(Molten Silicone Rubber)/溶融スチレン・ブタジエンゴム(Molten Styrene-Butadiene Rubber)]：72mB ※プログラム回路の代わりに、[小さなポリ塩化ビニルパルプ(Polyvinyl Chloride Pulp)か小さなポリメチルシロキサンパルプ(Polymethylsilxanee Pulp)を使用することで、溶融ゴムの使用量を減らすことができる(72mB → 36mB) |
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| HSS-G鋼アイテム(HSS-G ～ ) | ||
| HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate) |  |
プレート作成機[Bending Machine](LV～)： ・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1 ・プログラム回路[1](Programmed Circuit[Config = 1]):1 |
| HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod) |  |
押出加工機[Extruder](HV～)： ・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1 ・押出加工機の型(ロッド)(Extruder Shape (Rod)):1 |
| ロングHSS-G鋼ロッド(Long HSS-G Rod) |  |
ハンマー[Forge Hammer](LV～)： ・HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×2 |
| HSS-G鋼スクリュー(HSS-G Screw) |  |
切断機[Cutting Machine](LV～)： ・HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×1 ・潤滑油(Lubricant):1mB →旋盤[Lathe](LV～)： ・HSS-G鋼ボルト(HSS-G Bolt)×1 |
 |
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| HSS-G鋼リング(HSS-G Ring) |  |
押出加工機[Extruder](HV～)： ・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1 ・押出加工機の型(リング)(Extruder Shape (Ring)):1 |
| HSS-G鋼ローター(HSS-G Rotor) |  |
組立機[Assembling Machine](LV～)： ・HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×4 ・HSS-G鋼リング(HSS-G Ring)×1 ・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[16/32/48]mB |
| HSS-G鋼ラウンド(HSS-G Round) |  |
製錬[かまど]： ・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×1 →旋盤[Lathe](LV～)： ・HSS-G鋼ナゲット(HSS-G Nugget)×1 |
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| HSS-G鋼ギア(HSS-G Gear) |  |
押出加工機[Extruder](HV～)： ・HSS-G鋼インゴット(HSS-G Ingot)×4 ・押出加工機の型(ギア)(Extruder Shape (Gear)):1 |
| 小さなHSS-G鋼ギア(Small HSS-G Gear) |  |
クラフト： ・HSS-G鋼プレート(HSS-G Plate)×1 ・ハンマー(Hammer):1 |
| HSS-G鋼フレームボックス(HSS-G Frame Box) |  |
組立機[Assembling Machine](LV～)： ・HSS-G鋼ロッド(HSS-G Rod)×4 ・プログラム回路[4](Programmed Circuit[Config = 4):1 |
| + | Electric Motor（LuV） |
| + | Electric Pump（LuV） |
| + | Conveyor Module（LuV） |
| + | Electric Piston（LuV） |
| + | Robot Arm （LuV） |
| + | Emitter（LuV） |
| + | Sensor（LuV） |
| + | Field Generator（LuV） |
| レーザー刻印機(LuV) (Advanced Precision Laser Engraver V) | |
|---|---|
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クラフト： ・エミッター(LuV)(Emitter (LuV))×１ ・電気ピストン(LuV)(Electric Piston (LuV))×２ ・LuV電子回路(Master Quantumcomputer)×３ ・１倍ニオブチタンケーブル(1x Niobium-Titanium Cable)×２ ・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×１ |
| 回路組立機(LuV) (Advanced Circuit Assembling Machine V) | |
|---|---|
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クラフト： ・ロボットアーム(LuV)(Robot Arm (LuV))×１ ・エミッター(LuV)(Emitter (LuV))×１ ・コンベヤーモジュール(LuV)(Conveyor Module (LuV))×２ ・ZPM電子回路(Quantumcomputer Mainframe)×２ ・１倍ニオブチタンケーブル(1x Niobium-Titanium Cable)×２ ・LuVマシン筐体(LuV Machine Hull)×１ |
| クリスタルCPU(Cristal Processing Unit) | ||
|---|---|---|
| 生のクリスタルチップ (Raw Crystal Chip) |  |
Autoclave(HV～)： ・とても大きなエメラルド/かんらん石(Exquisite [Olivine/Emerald])×１ ・溶融ユーロピウム：16mB ※10％の確率で作成できる。 |
| 刻印されたクリスタルチップ (Engraved Crystal Chip) |  |
電気高炉(HV～)[5000K～]： ・生のクリスタルチップ (Raw Crystal Chip)×１ ・エメラルド/かんらん石プレート([Olivine/Emerald] Plate)×１ ・ヘリウム：1000mB |
| クリスタルCPU (Crystal Processing Unit) |  |
レーザー刻印機(LuV～)： ・刻印されたクリスタルチップ (Engraved Crystal Chip)×１ ・エメラルドレンズ(Emerald Lens)：１ ※無菌室(Cleanroom)内で作成する。 |
 |
| 多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board) | |
 |
化学反応器[Largeでも可](HV～)： ・繊維強化回路基板(Fiber-Rainforced Circuit Board)×1 ・エレクトラムホイル(Electrum Foil)×16 ・硫酸(Sulfuric Acid)：250mB |
| ニオブの粉(Niobium Dust [Tiny Pile of Niobium Dust]) | |
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入手方法： 熱遠心分離[Thermal Centrifuge]：[砕けた/洗浄された]タンタル石([Crushed/Purified] Tantalite Ore)×1→Tiny Pile of Niobium Dust×1 遠心分離[ Centrifuge]：洗浄されたタンタル石の粉(Purified Tantalite Dust)×1→Tiny Pile of Niobium Dust×1 電気分解[ Electrolyzer]：パイロクロアの粉(Pyrochlore Dust)×11→Niobium Dust×2 粉砕副産物[Pulverization]： ・洗浄されたタンタル石(Purified Tantalite Ore) ・熱遠心分離されたパイロクロア鉱石(Centrifuged Pyrochlore Ore) ・熱遠心分離された軟マンガン鉱石(Centrifuged Pyrolusite Ore) →Niobium Dust×1(10%) |
| ニオブインゴット(Niobium Ingot) |  |
電気高炉(MV～)[4500K～]： ・ニオブの粉(Niobium Dust)×1 →真空冷凍機(MV～)： ・ホットニオブインゴット(Hot Niubium Ingot)×1 |
 |
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| ニオブチタンインゴット(Niobium-Titanium Ingot) |  |
電気高炉(MV～)[4500K～]： ・ニオブインゴット(Niobium Ingot)×1 ・チタンインゴット(Titanium Ingot)×1 真空冷凍機(MV～)： ・ホットニオブチタンインゴット(Hot Niobium-Titanium Ingot)×1 |
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| ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire) |  |
ケーブル作成機[Wiremill](LV～)： ・ニオブチタンインゴット(Niobium-Titanium Ingot)×1 →ケーブル作成機[Wiremill](LV～)： ・1倍ニオブチタンワイヤー(1x Niobium-Titanium Wire)×1 |
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| クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser) | |
|
回路組立機(LuV～)：多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×1 ・クリスタルプロセッシングユニット(Crystal Processing Unit)×1 ・ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×1 ・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×2 ・チップトランジスタ(SMD Transistor)×2 ・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×2 ・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[72/144/288]mB |
| 核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)[レシピ] | |
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スキャナー： ・ユーロピウムブロック(Block of Europium)×1 ・データスティック：1 |
| クリスタルプロセッサーメインフレーム(Cristalprocesser Mainframe) | |
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回路組立機[Circuit Assembler](LuV～)：多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×1 ・クリスタルプロセッサー(Cristalprocesser)×2 ・小さなコイル(Small Coil)×4 ・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×4 ・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4 ・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×6 ・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[144/288/576]mB |
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回路組立機[Circuit Assembler](LuV～)：多層繊維強化回路基板(Mulchlayer Fiber-Rainforced Circuit Board)×2 ・クリスタルプロセッサーアセンブリ(Cristalprocesser Assembly)×3 ・チップダイオード(SMD Diode)×4 ・NORメモリチップ(NOR Memory Chip)×4 ・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4 ・ニオブチタンの細線(Fine Niobium-Titanium Wire)×6 ・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[144/288/576]mB |
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回路組立機[Circuit Assembler](LuV～)：アルミニウムフレームボックス(Aluminium Frame Box)×1 ・アルティメットクリスタルコンピュータ(Ultimate Crystalcomputer)×4 ・小さなコイル(Small Coil)×4 ・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×24 ・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×16 1倍超伝導ワイヤー (1x Superconductor Wire)×12 ・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[288/576/1152]mB |
| + | レシピ |
