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ZPM時代



概要

  • 時代内容
    • 主に核融合炉Mk.Ⅱの組み立てと稼動を目指す時代。
    • プラズマ発電によって大電力を確保できるようになる。
  • 主な作業
    • 核融合炉Mk.2の組み立て
    • アメリシウム(Americium)の作成
    • Wetware回路の作成
  • 次の時代への目標
    • 核融合炉Mk.3の作成に必要な素材の確保



核融合マシン外装(Fusion Machine Casing)


核融合マシン外装(Fusion Machine Casing) クラフト:核融合マシン外装(Fusion Machine Casing)×1
・LuVマシン外装(LuV Machine Casing)
・タングステン鋼プレート (Tungstensteel Plate)×6
・ハンマー:1
・レンチ:1


ZPMマシン外装(ZPM Machine Casing)


ZPMマシン外装(ZPM Machine Casing) クラフト:ZPMマシン外装(ZPM Machine Casing)×1
・イリジウムプレート (Iridium Plate)×8
・レンチ:1

ZPMハッチ・バス(ZPM ~ Hatch/Bus)


ZPMマシン筐体(ZPM Machine Hull) 組立機(LV):ZPMマシン筐体(ZPM Machine Hull)×1
・ZPMマシン外装(ZPM Machine Casing)×1
・1倍ナクアダケーブル (1x Naquadah Cable)×2
・溶融PTFE(Molten Polytetrafluorethylene):288mB
ZPMエネルギーハッチ(ZPM Energy Hatch) クラフト:ZPMエネルギーハッチ(ZPM Energy Hatch)×1
・ZPMマシン筐体(ZPM Machine Hull)×1
・1倍ナクアダケーブル (1x Naquadah Cable)×1
ZPM搬入ハッチ(ZPM Input Hatch) クラフト:ZPM搬入ハッチ(ZPM Input Hatch)×1
・ZPMマシン筐体(ZPM Machine Hull)×1
・強化ガラス (Reinforced Glass)×1
ZPM搬出ハッチ(ZPM Output Hatch) クラフト:ZPM搬出ハッチ(ZPM Output Hatch)×1
・ZPMマシン筐体(ZPM Machine Hull)×1
・強化ガラス (Reinforced Glass)×1

核融合炉Mk.Ⅱ の組み立て


1段目
・核融合マシン外装:32
2段目
・核融合コイルブロック:32
・核融合マシン外装:58~46
・ZPMエネルギーハッチ:4~16
・ZPM搬出ハッチ:1
・核融合炉Mk.2本体ブロック:1
3段目
・核融合マシン外装:32

※クラフトごとに起動する際に起電力が必要になる。核融合炉Mk.2に取り付けたエネルギーハッチの数で蓄電量(起電力)が決まる(エネルギーハッチ1個で2000万EU蓄電でき、最大で16個(3億2000万EU)設置できる)


アメリシウム(Americium)の作成


ルテチウムの粉(Lutetium Dust) 熱遠心分離機(LV):ルテチウムの粉(Lutetium Dust)×1 + トリウムの粉(Thorium Dust)×2 + 鉄の粉(Iron Dust)×3
・デュアル劣化トリウム燃料棒(Dual Fuel Rod (Depleted Thorium))×1
溶融アメリシウム(Molten Americium) 核融合炉 Mk.Ⅱ(ZPM):溶融アメリシウム(Molten Americium):16mb
・溶融クロム(Molten Chrome):16mb
・溶融ルテチウム(Molten Lutetium):16mb
起電力:200'000'000EU


ZPMマシンの作成

ZPMマシンコンポーネントの作成について

  • Luv以降のマシンコンポーネント(電気モーター、コンベアーモジュール等)は「組み立てライン(Assembly Line)」を使用して作成していく。作成レシピやデータは、作成したいマシンコンポーネントの一つ下の電圧レベルのアイテムをスキャンすることで入手できる(例:「電気モーター(ZPM)」を作成する場合は「電気モーター(LuV)」をスキャナーでスキャンする)。


ZPMマシンコンポーネントのレシピ

  • 組み立てラインで作成するアイテムのNEIレシピはアイテム作成の実績を取るとNEIレシピに表示される。
実績は組み立てライン(Assembly Line)で作成したアイテムを拾うことで獲得できる。
※スキャナーでスキャンしたデータスティックがないと必要アイテムを揃えても組み立てラインを起動できない。

基本素材の作成レシピ

HSS-E鋼アイテム(HSS-E ~ )
HSS-E鋼の粉(HSS-E Dust) クラフト:
・HSS-Gの粉(HSS-G Dust)×6
・コバルトの粉(Cobalt Dust)×1
・マンガンの粉(Manganese Dust)×1
・ケイ素の粉(Silicon Dust)×1
HSS-E鋼インゴット(HSS-E Ingot) 電気高炉(MV~)[5400K~]:
・HSS-Eの粉(HSS-E Dust)×1
真空冷凍機(MV~):
・ホットHSS-Eインゴット(Hot HSS-E Ingot)×1
HSS-E鋼プレート(HSS-E Plate) プレート作成機[Bending Machine](LV~):
・HSS-E鋼インゴット(HSS-E Ingot)×1
・プログラム回路[1](Programmed Circuit[Config = 1]):1
HSS-E鋼ロッド(HSS-E Rod) 押出加工機[Extruder](HV~):
・HSS-E鋼インゴット(HSS-E Ingot)×1
・押出加工機の型(ロッド)(Extruder Shape (Rod)):1
ロングHSS-E鋼ロッド(Long HSS-E Rod) ハンマー[Forge Hammer](LV~):
・HSS-E鋼ロッド(HSS-E Rod)×2
HSS-E鋼スクリュー(HSS-E Screw) 切断機[Cutting Machine](LV~):
・HSS-E鋼ロッド(HSS-E Rod)×1
・潤滑油(Lubricant):1mB
旋盤[Lathe](LV~):
・HSS-E鋼ボルト(HSS-E Bolt)×1
HSS-E鋼リング(HSS-E Ring) 押出加工機[Extruder](HV~):
・HSS-E鋼インゴット(HSS-E Ingot)×1
・押出加工機の型(リング)(Extruder Shape (Ring)):1
HSS-E鋼ローター(HSS-E Rotor) 組立機[Assembling Machine](LV~):
・HSS-E鋼プレート(HSS-E Plate)×4
・HSS-E鋼リング(HSS-E Ring)×1
・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead]):[16/32/48]mB
HSS-E鋼ラウンド(HSS-E Round) 製錬[かまど]:
・HSS-E鋼インゴット(HSS-E Ingot)×1
旋盤[Lathe](LV~):
・HSS-E鋼ナゲット(HSS-E Nugget)×1
HSS-E鋼ギア(HSS-E Gear) 押出加工機[Extruder](HV~):
・HSS-E鋼インゴット(HSS-E Ingot)×4
・押出加工機の型(ギア)(Extruder Shape (Gear)):1
小さなHSS-E鋼ギア(Small HSS-E Gear) クラフト:
・HSS-E鋼プレート(HSS-E Plate)×1
・ハンマー(Hammer):1
HSS-E鋼フレームボックス(HSS-E Frame Box) 組立機[Assembling Machine](LV~):
・HSS-E鋼ロッド(HSS-E Rod)×4
・プログラム回路[4](Programmed Circuit[Config = 4):1


ZPMマシンコンポーネントの作成レシピ

+ Electric Motor(ZPM)
電気モーター(ZPM)(Electric Motor (ZPM))
必要電力:24000EU/t (LuV~)、加工時間:30秒
Bus 1:ロング磁性ネオジムロッド(Long Magnetic Neodymium Rod)×2
Bus 2:ロングHSS-E鋼ロッド(Long HSS-E Rod)×4
Bus 3:HSS-E鋼リング(Long HSS-E Ring)×4
Bus 4:HSS-E鋼ラウンド(Long HSS-E Round)×16
Bus 5:プラチナの細線(Fine Platinum Wire)×64
Bus 6:プラチナの細線(Fine Platinum Wire)×64
Bus 7:プラチナの細線(Fine Platinum Wire)×64
Bus 8:プラチナの細線(Fine Platinum Wire)×64
Bus 9:4倍バナジウム-ガリウムケーブル(4x Vanadium-Gallium Cable)×2
Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):288mB
Hatch 2:潤滑油(Lubricant):750mB



+ Electric Pump(ZPM)

電気ポンプ(ZPM)(Electric Pump (ZPM))
必要電力:24000EU/t (LuV~)、加工時間:30秒
Bus 1:電気モーター(ZPM)(Electric Motor (ZPM))×1
Bus 2:高圧液体パイプ(High Pressure Fluid Pipe)×2
Bus 3:HSS-E鋼プレート(HSS-E Plate)×2
Bus 4:HSS-E鋼スクリュー(HSS-E Screw)×8
Bus 5:シリコーンゴムリング(Silicone Rubber Ring)×16
Bus 6:HSS-E鋼ローター(HSS-E Rotor)×2
Bus 7:4倍バナジウム-ガリウムケーブル(4x Vanadium-Gallium Cable)×2
Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):288mB
Hatch 2:潤滑油(Lubricant):750mB

高圧液体パイプ(High Pressure Fluid Pipe) 組立機[Assembling Machine](HV~):
・タングステン鋼液体パイプ(Tungstensteel Fluid Pipe)×1
・電気ポンプ(IV)(Electric Pump (IV))×1

+ Conveyor Module(ZPM)

コンベヤーモジュール(ZPM)(Conveyor Module (ZPM))
必要電力:24000EU/t (LuV~)、加工時間:30秒
Bus 1:電気モーター(ZPM)(Electric Motor (ZPM))×2
Bus 2:HSS-E鋼プレート(HSS-E Plate)×2
Bus 3:HSS-E鋼リング(Long HSS-E Ring)×4
Bus 4:HSS-E鋼ラウンド(Long HSS-E Round)×32
Hatch 1:溶融スチレン - ブタジエンゴム(Molten Styrene-Butadiene Rubber):2880mB
Hatch 2:潤滑油(Lubricant):750mB

+ Electric Piston(ZPM)

電気ピストン(ZPM)(Electric Piston (ZPM))
必要電力:24000EU/t (LuV~)、加工時間:30秒
Bus 1:電気モーター(ZPM)(Electric Motor (ZPM))×1
Bus 2:HSS-E鋼プレート(HSS-E Plate)×6
Bus 3:HSS-E鋼リング(Long HSS-E Ring)×4
Bus 4:HSS-E鋼ラウンド(Long HSS-E Round)×32
Bus 5:ロングHSS-E鋼ロッド(Long HSS-E Rod)×4
Bus 6:HSS-E鋼ギア(HSS-E Gear)×1
Bus 7:小さなHSS-E鋼ギア(Small HSS-E Gear)×2
Bus 8:4倍バナジウム-ガリウムケーブル(4x Vanadium-Gallium Cable)×4
Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):288mB
Hatch 2:潤滑油(Lubricant):750mB

+ Robot Arm (ZPM)

ロボットアーム(ZPM)(Robot Arm (ZPM))
必要電力:24000EU/t (LuV~)、加工時間:30秒
Bus 1:ロングHSS-E鋼ロッド(Long HSS-E Rod)×4
Bus 2:HSS-E鋼ギア(HSS-E Gear)×1
Bus 3:小さなHSS-E鋼ギア(Small HSS-E Gear)×3
Bus 4:電気モーター(ZPM)(Electric Motor (ZPM))×2
Bus 5:電気ピストン(ZPM)(Electric Piston (ZPM))×1
Bus 6:マスタークアンタムコンピュータ(Master Quantumcomputer)×4
Bus 7:クアンタムプロセッサーアセンブリ(Quantumprocessor Assembly)×4
Bus 8:ナノプロセッサー(Nanoprocessor)×12
Bus 9:4倍バナジウム-ガリウムケーブル(4x Vanadium-Gallium Cable)×6
Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):1152mB
Hatch 2:潤滑油(Lubricant):750mB

+ Emitter(ZPM)

エミッター(ZPM)(Emitter (ZPM))
必要電力:24000EU/t (LuV~)、加工時間:30秒
Bus 1:HSS-E鋼フレームボックス(HSS-E Frame Box)×1
Bus 2:エミッター(LuV)(Emitter (LuV))×1
Bus 3:エミッター(IV)(Emitter (IV))×2
Bus 4:エミッター(EV)(Emitter (EV))×4
Bus 5:クアンタムプロセッサーアセンブリ(Quantumprocessor Assembly)×7
Bus 6:プラチナホイル(Platinum Foil)×64
Bus 7:プラチナホイル(Platinum Foil)×64
Bus 8:プラチナホイル(Platinum Foil)×64
Bus 9:4倍バナジウム-ガリウムケーブル(4x Vanadium-Gallium Cable)×7
Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):576mB

+ Sensor(ZPM)

センサー(ZPM)(Sensor (ZPM))
必要電力:24000EU/t (LuV~)、加工時間:30秒
Bus 1:HSS-E鋼フレームボックス(HSS-E Frame Box)×1
Bus 2:センサー(LuV)(Sensor (LuV))×1
Bus 3:センサー(IV)(Sensor (IV))×2
Bus 4:センサー(EV)(Sensor (EV))×4
Bus 5:クアンタムプロセッサーアセンブリ(Quantumprocessor Assembly)×7
Bus 6:プラチナホイル(Platinum Foil)×64
Bus 7:プラチナホイル(Platinum Foil)×64
Bus 8:プラチナホイル(Platinum Foil)×64
Bus 9:4倍バナジウム-ガリウムケーブル(4x Vanadium-Gallium Cable)×7
Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):576mB

+ Field Generator(ZPM)

空間発生器(ZPM)(Field Generator (ZPM))
必要電力:24000EU/t (LuV~)、加工時間:30秒
Bus 1:HSS-E鋼フレームボックス(HSS-E Frame Box)×1
Bus 2:HSS-E鋼プレート(HSS-E Plate)×6
Bus 3:クアンタムスター(Quantum Star)×4
Bus 4:エミッター(ZPM)(Emitter (ZPM))×4
Bus 5:クリスタルプロセッサーアセンブリ(Crystalprocessor Assembly)×16
Bus 6:オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64
Bus 7:オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64
Bus 8:オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64
Bus 9:オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64
Bus 10:オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64
Bus 11:オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64
Bus 12:オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64
Bus 13:オスミウムの細線(Fine Osmium Wire)×64
Bus 14:4倍バナジウム-ガリウムケーブル(4x Vanadium-Gallium Cable)×8
Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):1152mB


回路組立機(ZPM)


回路組立機(ZPM) (Advanced Circuit Assembling Machine V)
クラフト:
・ロボットアーム(ZPM)(Robot Arm (ZPM))×1
・エミッター(ZPM)(Emitter (ZPM))×1
・コンベヤーモジュール(ZPM)(Conveyor Module (ZPM))×2
・UV電子回路(Crystalprocessor Mainframe)×2
・1倍ナクアダケーブル(1x Naquadah Cable)×2
・ZPMマシン筐体(ZPM Machine Hull)×1

ウェットウェアプロセッサ(Wetwareprocessor)の作成


生体中枢回路基板(Wetware Lifesupport Circuit Board)
ひき肉(Mince Meat) 電気粉砕機[Macerator](LV~):
・生肉×1
生の培養液(Raw Growth Medium) ミキサー[Mixer](LV~):生の培養液(Raw Growth Medium):4000mb
・砂糖(Sugar)×4
・ひき肉(Mince Meat)×1
・とても小さな塩(Tiny Pile of Salt)×1
・蒸留水(Distilled Water):4000mb
滅菌処理をした培養液(Sterilized Growth Medium) 液体加熱機[Fluid Heater](LV):滅菌処理をした培養液(Sterilized Growth Medium):500mb
・生の培養液(Raw Growth Medium):500mb
ペトリ皿(Petri Dish) 金属鋳造機[Fluid Solidifier](LV):
・溶融ポリテトラフルオロエチレン(Molten Polytetrafluoroethylene):36mb
・型(シリンダー)(Mold(Cylinder)):1
生体中枢回路基板(Wetware Lifesupport Circuit Board) 組立機[Assembler](HV):生体中枢回路基板(Wetware Lifesupport Circuit Board)×1
・繊維強化基板(Fiber-Reinforced Circuit Board)×1
・ペトリ皿(Petri Dish)×1
・電気ポンプ(LV)(Electric Pump(LV))×1
・センサー(LV)(Sensor(LV))×1
・MV回路(Integrated Processor)×1
・培養液(Sterilized Growth Medium):250mb
神経処理装置(Neuro Processing Unit)
幹細胞(Stemcells) 電気解体機[Disassembler](LV):幹細胞(Stemcells)×1(確率で入手)
・卵(Egg)×1
LV:2%
MV:3%
HV:2%
EV:5%
IV:6%
LuV:7%
ZPM:8%
UV:9%
とても小さなプラスチックパイプ(Tiny Plastic Fluid Pipe) 押出加工機[Extruder](LV~):
・ポリエチレン パルプ(Polyethylene Pulp)×1
・押出加工機の型(とても小さなパイプ)(Extruder Shape (Tiny Pipe)):1
金アイテムケーシング(Gold Item Casing) 押出加工機[Extruder](MV~):
・金インゴット(Gold Ingot)×1
・押出加工機の型(ケーシング)(Extruder Shape (Casing)):1
薄シリコンゴムシート(Thin Silicone Rubber Sheet) プレート作成機[Bending Machine](LV~):
・シリコンゴムシート(Silicone Rubber Sheet)×1
・プログラム回路[1](Programmed Circuit[Config = 1]):1
マター(UU-Matter) マター製造機[Mass Fabricator](LV~):
※電気を流すだけで動作する。
マター製造機は5.09以降通常の機械とは必要電力が異なるため、FTBWikiなどを参照する。
IC2クーラント(IC2-Coolant) ミキサー[Mixer](MV~):IC2クーラント(IC2-Coolant):125mb
・ラピスラズリの粉(Lapis Dust)×1
・水(Water):125mb


+ Neuro Processing Unit
神経処理装置(Neuro Processing Unit)
必要電力:80000EU/t (ZPM~)、加工時間:10秒
Bus 1:生体中枢回路基板(Wetware Lifesupport Circuit Board)×1
Bus 2:幹細胞(Stemcells)×8
Bus 3:ガラスチューブ(Glass Tube)×8
Bus 4:とても小さなプラスチックパイプ(Tiny Plastic Fluid Pipe)×4
Bus 5:金アイテムケーシング(Gold Item Casing)×8
Bus 6:薄シリコンラバーシート(Thin Silicone Rubber Sheet)×64
Bus 7:ステンレススチールの板(Stainless Steel Plate)×4
Hatch 1:滅菌処理をした培養液(Sterilized Growth Medium):250mB
Hatch 2:マター(UU-Matter):100mB
Hatch 3:IC2クーラント(IC2 Coolant):1000mB


ウェットウェアプロセッサ(Wetwareprocessor)


ウェットウェアプロセッサ (Wetwareprocessor) 回路組立機[Circuit Assembler](ZPM~):ウェットウェアプロセッサ (Wetwareprocessor)×1
・神経処理装置(Neuro Processing Unit)×1
・クリスタルCPU(Cristal Processing Unit)×1
・ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×1
・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×2
・チップトランジスタ(SMD Transistor)×2
・イットリウムバリウム銅酸塩の細線(Fine Yttrium Barium Cuprate Wire)×2
・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead]):[72/144/288]mB
ウェットウェアプロセッサアセンブリ (Wetwareprocessor Assembly) 回路組立機[Circuit Assembler](ZPM~):ウェットウェアプロセッサアセンブリ (Wetwareprocessor Assembly)×1
・生体中枢回路基板(Wetware Lifesupport Circuit Board)×1
・ウェットウェアプロセッサ (Wetwareprocessor)×2
・小さなコイル(Small Coil)×4
・チップコンデンサ(SMD Capacitor)×4
・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4
・イットリウムバリウム銅酸塩の細線(Fine Yttrium Barium Cuprate Wire)×6
・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead]):[144/288/576]mB
ウェットウェア スーパーコンピュータ (Wetware Supercomputer) 回路組立機[Circuit Assembler](ZPM~):ウェットウェア スーパーコンピュータ (Wetware Supercomputer)×1
・生体中枢回路基板(Wetware Lifesupport Circuit Board)×2
・ウェットウェアプロセッサアセンブリ (Wetwareprocessor Assembly)×3
・チップダイオード(SMD Diode)×4
・NORメモリチップ(NOR Memory Chip)×4
・RAMチップ(Random Access Memory Chip)×4
・イットリウムバリウム銅酸塩の細線(Fine Yttrium Barium Cuprate Wire)×6
・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead]):[144/288/576]mB


核融合制御コンピュータマークⅢ(Fusion Control Computer Mark III)本体ブロックの作成


核融合制御コンピュータマークⅢ(Fusion Control Computer Mark III)[レシピ]
スキャナー:
・アメリシウムブロック(Block of Americium)×1
・データスティック:1
  • 核融合マーク2で作成できるアメリシウムをブロックにしたものをスキャンすることで核融合制御コンピュータマークⅢ(Fusion Control Computer Mark III)本体ブロックの作成レシピがわかる。

核融合制御コンピュータマークⅢ(Fusion Control Computer Mark III)本体ブロック

+ レシピ
核融合制御コンピュータマークⅡ(Fusion Control Computer Mark II)
必要電力:90000EU/t (ZPM)、加工時間:50秒
Bus 1:核融合コイルブロック(Fusion Coil Block)×1
Bus 2:ウェットウェア スーパーコンピュータ (Wetware Supercomputer)×1
Bus 3:ウェットウェア スーパーコンピュータ (Wetware Supercomputer)×1
Bus 4:ウェットウェア スーパーコンピュータ (Wetware Supercomputer)×1
Bus 5:ウェットウェア スーパーコンピュータ (Wetware Supercomputer)×1
Bus 6:アメリシウムプレート(Americium Plate)×4
Bus 7:空間発生器(ZPM) (Field Generator (ZPM) )×2
Bus 8:HPICウエハー (HPIC Wafer)×64
Bus 9:4倍超伝導ワイヤー (4x Superconductor Wire)×32
Hatch 1:溶融半田合金(Molten Soldering Alloy):2880mB



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最終更新:2026年05月31日 23:53