UV時代

概要
核融合炉Mk.Ⅲ の組み立て
オスミウム救済レシピ
トリタニウムの作成
ニュートロニウムの作成
ウェットウェアメインフレーム(Wetware Mainframe)の作成レシピ
ラポトロニックエナジーオーブクラスターの作成
UVマシンコンポーネントの作成について
- UVマシンコンポーネントのレシピ
アルティメットバッテリーの作成
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概要

時代内容
- 主にニュートロニウムの生産とアルティメットバッテリーの生産を目指す時代。
- 鉄プラズマ発電によって大電力を簡単に確保できるようになる。
主な作業
- ナクアダ合金の生産
- 核融合炉Mk.3の稼働
- ナクアドリアの生産
- ニュートロニウムの生産
- アルティメットバッテリーの生産

ナクアダ合金(Naquadah Alloy)の作成

圧縮空気セル(Compressed Air Cell)		圧縮機(LV)：圧縮空気セル(Compressed Air Cell)×1 ・空のセル(Empty Cell)×1
液体空気セル(Liquid Air Cell)		真空冷凍機(MV～)：・圧縮空気セル(Compressed Air Cell)×1
アルゴンセル(Argon Cell)		遠心分離機(LV)：窒素セル(Nitrogen Cell)×40 + 酸素セル(Oxygen Cell)×11 + アルゴンセル(Argon Cell)×1 + 貴ガスセル(Noble Gases Cell)×1 ・液体空気セル(Liquid Air Cell)×53
オスミリジウムインゴット(Osmiridium Ingot)		電気高炉(EV～)[2900K～]：・イリジウムインゴット(Iridium Ingot)×3 ・オスミウムインゴット(Osmium Ingot)×1 ・ヘリウム(Helium)：1000mb 真空冷凍機(MV～)：・ホットオスミリジウムインゴット(Hot Osmiridium Ingot)×1
オスミリジウムインゴット(Osmiridium Ingot)
ナクアダ合金インゴット(Naquadah Alloy Ingot)		電気高炉(LuV～)[7200K～]：・ナクアダインゴット(Naquadah Ingot)×1 ・オスミリジウムインゴット(Osmiridium Ingot)×1 ・アルゴン(Argon)：1000mb 真空冷凍機(MV～)：・ホットナクアダ合金インゴット(Hot Naquadah Alloy Ingot)×1
ナクアダ合金インゴット(Naquadah Alloy Ingot)

核融合マシン外装 Mk.Ⅱ(Fusion Machine Casing)

核融合マシン外装 Mk.Ⅱ(Fusion Machine Casing Mk Ⅱ)

クラフト：核融合マシン外装 Mk.Ⅱ(Fusion Machine Casing Mk Ⅱ)×1
・核融合マシン外装(Fusion Machine Casing)
・アメリシウムプレート (Americium Plate)×6
・ハンマー：1
・レンチ：1

UVマシン外装(UV Machine Casing)

クラフト：UVマシン外装(UV Machine Casing)×1
・オスミウムプレート (Osmium Plate)×8
・レンチ：1

UVマシン筐体(UV Machine Hull)

UVマシン筐体(UV Machine Hull)		組立機(LV)：UVマシン筐体(UV Machine Hull)×1 ・UVマシン外装(UV Machine Casing)×1 ・4倍ナクアダ合金ワイヤー (4x Naquadah Alloy Wire)×2 ・溶融PTFE(Molten Polytetrafluorethylene)：288mB
UVエネルギーハッチ(UV Energy Hatch)		クラフト：UVエネルギーハッチ(UV Energy Hatch)×1 ・UVマシン筐体(UV Machine Hull)×1 ・4倍ナクアダ合金ケーブル (4x Naquadah Alloy Cable)×1
UV搬入ハッチ(UV Input Hatch)		クラフト：UV搬入ハッチ(UV Input Hatch)×1 ・UVマシン筐体(UV Machine Hull)×1 ・強化ガラス (Reinforced Glass)×1
UV搬出ハッチ(UV Output Hatch)		クラフト：UV搬出ハッチ(UV Output Hatch)×1 ・UVマシン筐体(UV Machine Hull)×1 ・強化ガラス (Reinforced Glass)×1

核融合炉Mk.Ⅲ の組み立て

1段目

核融合マシン外装 Mk.Ⅱ：32

2段目

核融合コイルブロック:32
核融合マシン外装 Mk.Ⅱ:58～46
UVエネルギーハッチ:4～16
UV搬出ハッチ:1
核融合炉Mk.3本体ブロック:1

3段目

核融合マシン外装 Mk.Ⅲ：32

※クラフトごとに起動する際に起電力が必要になる。核融合炉Mk.3に取り付けたエネルギーハッチの数で蓄電量(起電力)が決まる（エネルギーハッチ1個で4000万EU蓄電でき、最大で16個(6億4000万EU)設置できる)|

オスミウム救済レシピ

溶融オスミウム(Molten Osmium)

核融合炉 Mk.Ⅱ(LuV)：溶融オスミウム(Molten Osmium)：16mb
・ヘリウム(Helium)：16mb
・溶融タングステン(Molten Tungsten)：16mb 起電力：150'000'000EU

トリタニウムの作成

溶融トリタニウム(Molten Tritanium)
ラドン(Radon)		核融合炉 Mk.Ⅱ(LuV)：ラドン(Radon)：125mb ・水銀(Mercury)：16mb ・溶融金(Molten Gold)：16mb 起電力：200'000'000EU
溶融デュラニウム(Molten Duranium)		核融合炉 Mk.Ⅱ(LuV)：溶融デュラニウム(Molten Duranium)：16mb ・ラドン(Radon)：125mb ・溶融ガリウム(Molten Gallium)：16mb 起電力：140'000'000EU
溶融トリタニウム(Molten Tritanium)		核融合炉 Mk.Ⅱ(LuV)：溶融トリタニウム(Molten Tritanium)：16mb ・溶融トリタニウム(Molten Tritanium)：125mb ・溶融チタニウム(Molten Titanium)：16mb 起電力：200'000'000EU

ニュートロニウムの作成

溶融ニュートロニウム(Molten Neutronium)
溶融ナクアドリア(Molten Naquadria)		核融合炉 Mk.Ⅲ(ZPM)：溶融ナクアドリア(Molten Naquadria)：3mb ・ラドン(Radon)：125mb ・溶融濃ナクアダ(Molten Enriched Naquadah)：15mb 起電力：200'000'000EU
溶融ニュートロニウム(Molten Neutronium)		核融合炉 Mk.Ⅲ(ZPM)：溶融ニュートロニウム(Molten Neutronium)：1mb ・溶融ナクアドリア(Molten Naquadria)：16mb ・溶融アメリシウム(Molten Americium)：16mb 起電力：600'000'000EU

ウェットウェアメインフレーム(Wetware Mainframe)の作成レシピ

Wetware Mainframe

ラポトロニックエナジーオーブクラスターの作成

エナジークリスタル(Energy Crystal)
エナジーダスト(Energium Dust)		クラフト：エナジーダスト(Energium Dust)×9 ・レッドストーン(Redstone)×5 ・ルビーの粉(Ruby Dust)×4
エナジークリスタル(Energy Crystal)		オートクレイブ(HV)：エナジークリスタル(Energy Crystal)×1 ・エナジーダスト(Energium Dust)×9 ・蒸留水(Distilled Water)：1000mb
ラポトロニックエナジーオーブクラスター(Lapotronic Energy Orb Cluster)
ラポトロンクリスタル(Lapotron Crystal)		クラフト：ラポトロンクリスタル(Lapotron Crystal)×1 ・ラピスラズリプレート(Lapis Plate)×4 ・ラピスラズリロッド(Lapis Rod)×2 ・EV回路×2 ・エナジークリスタル(Energy Crystal)×1 ※ラポトロンクリスタルは複数レシピがあるので要確認
刻印されたラポトロンチップ(Engraved Lapotron Chip)		レーザー刻印機(HV) ：刻印されたラポトロンチップ(Engraved Lapotron Chip)×3 ・ラポトロンクリスタル(Lapotron Crystal)×1 ・サファイアレンズ(Sapphire Lens)×1
ラポトロニックエナジーオーブ(Lapotronic Energy Orb)		回路組立機(EV) ：ラポトロニックエナジーオーブ(Lapotronic Energy Orb)×1 ・繊維強化基板(Fiber-Reinforced Circuit Board)×1 ・パワーIC(Power IC)×4 ・刻印されたラポトロンチップ(Engraved Lapotron Chip)×18 ・ナノCPU(Nanocomponent Central Processing Unit)×1 ・プラチナの細線(Fine Platinum Wire)×16 ・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[144/288/576]mB
ラポトロニックエナジーオーブクラスター(Lapotronic Energy Orb Cluster)		回路組立機(IV) ：ラポトロニックエナジーオーブクラスター(Lapotronic Energy Orb Cluster)×1 ・繊維強化基板(Fiber-Reinforced Circuit Board)×1 ・ハイパワーIC(High Power IC)×4 ・ラポトロニックエナジーオーブ(Lapotronic Energy Orb)×8 ・QBitCPU(QBit Processing Unit)×1 ・プラチナの細線(Fine Platinum Wire)×16 ・ユーロピウムプレート(Europium Plate)×4 ・溶融[半田合金/錫/鉛](Molten [Soldering Alloy/Tin/Lead])：[144/288/576]mB

UVマシンコンポーネントの作成について

Luv以降のマシンコンポーネント(電気モーター、コンベアーモジュール等)は「組み立てライン(Assembly Line)」を使用して作成していく。作成レシピやデータは、作成したいマシンコンポーネントの一つ下の電圧レベルのアイテムをスキャンすることで入手できる(例：「電気モーター(UV)」を作成する場合は「電気モーター(ZPM)」をスキャナーでスキャンする)。